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單晶硅片襯底(Si)

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品牌 DMCR
材質 Si
規格 尺寸可定制
供貨狀態 片狀
相關產品 maxtek晶振片,inficon晶振片,fil-tech晶振片,鍵合金絲,單晶硅片,鍍鉻鎢絲
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Si 單晶硅片 φ50.8×0.4mm (2).jpg


主要產品規格:

貨號產品名稱規格包裝數量交期備注
Si-I10004D3單晶硅片 100晶向 本征硅φ100*0.5mm 單面拋光 電阻率>3000Ω·cm107-10個工作日
Si-P10006D3單晶硅片 100晶向 P型φ100*525±25μm 單面拋光 電阻率8-12Ωcm257-10個工作日
Si-P10004D1單晶硅片 100晶向 P型φ100*0.5mm 單面拋光 電阻率1-10Ωcm107-10個工作日
Si-P10006D3單晶硅片 100晶向 P型φ100*525±25μm 單面拋光 電阻率8-12Ωcm257-10個工作日
Si-P10004D1單晶硅片 100晶向 P型φ100*0.5mm 單面拋光 電阻率1-10Ωcm107-10個工作日
Si-P10006D3單晶硅片 100晶向 P型φ100*525±25μm 單面拋光 電阻率8-12Ωcm257-10個工作日
Si-P10004S22單晶硅片 100晶向 P型φ100*0.5mm 電阻率0.001-0.005Ωcm 氧化層200nm 雙面氧化
粗糙度<0.5nm 平整度<3μm
107-10個工作日
Si-N10004D5單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 單面拋光 電阻率0.01-0.05Ωcm57-10個工作日
Si-N10004S6單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 雙面拋光 電阻率1-5Ωcm257-10個工作日
Si-N10004D22單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 單面氧化層500nm 電阻率0.001-0.005Ωcm507-10個工作日
Si-N10004D1單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 單面拋光 電阻率1-10Ωcm107-10個工作日
Si-N10004D42單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 電阻率0.01-0.1Ωcm 氧化層200nm 單面氧化層107-10個工作日
Si-N10004D23單晶硅片 100晶向 N型φ100*0.5mm 單面氧化層300nm 電阻率0.001-0.005Ωcm507-10個工作日
Si-N10004D3單晶硅片 100晶向   N型φ100*0.5mm 電阻率0.01~0.05Ω cm 單面拋光57-10個工作日
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